三星与英伟达正合作研发自动驾驶芯片,并对HBM4、代工业务、HBM5等方面的合作进行了讨论

据财联社6月8日消息，三星电子芯片部门负责人JUN表示，与英伟达CEO黄仁勋就HBM4、晶圆厂领域的短期合作事宜进行了讨论。

JUN表示，我们正在合作研发4纳米和8纳米节点所需的自动驾驶芯片，以及NVIDIA的加速器芯片；我们还就长期合作进行了广泛讨论，包括HBM4E、代工业务、HBM5以及其他未来技术。还讨论了下一代芯片的代工合作。

此前据界面新闻报道，6月5日，英伟达首席执行官黄仁勋首次证实，三大存储芯片制造商已通过认证，可为英伟达AI加速器供应最先进的高带宽存储芯片。

英伟达已批准SK海力士、三星电子和美光科技供应HBM4，这是英伟达下一代人工智能平台Vera Rubin不可或缺的存储芯片。

黄仁勋此前表示，Vera Rubin目前已全面投产，计划于今年第三季度开始交付。