丰田为其新款SUV选用英飞凌SiC芯片

CoolSiC MOSFET将应用于丰田新款纯电动bZ4X SUV的车载充电器中。

日本汽车公司丰田的新款 bZ4X 车型采用了英飞凌的 CoolSiC MOSFET。

SiC MOSFET 集成到车载充电器 (OBC) 和 DC/DC 转换器中，利用该材料低损耗、高耐热性和高电压能力等优点，有助于延长行驶里程并缩短充电时间。

“全球最大的汽车制造商之一丰田汽车选择了英飞凌的CoolSiC技术，我们对此非常骄傲。碳化硅能够提升电动汽车的续航里程、效率和性能，因此是未来出行方式中非常重要的一部分。”英飞凌执行副总裁兼汽车业务首席销售官Peter Schaefer表示。

英飞凌表示，其 CoolSiC MOSFET 采用沟槽栅极结构，可降低归一化导通电阻和芯片尺寸，从而降低导通损耗和开关损耗，有助于提高汽车电源系统的效率。

此外，优化的寄生电容和栅极阈值电压实现了单极栅极驱动，有助于简化汽车电动驱动系统的驱动电路，并支持车载电池和直流/直流转换器的高密度、高可靠性设计。