三星电子已完成特斯拉下一代自动驾驶AI5芯片

当地时间7月13日，英特尔官方宣布，将向其位于爱尔兰莱克斯利普（Leixlip）的晶圆厂区追加50亿欧元（约合人民币386.3亿元）的资本投资，以交付基于英特尔3节点制造的英特尔至强6处理器和下一代英特尔至强处理器。

本次扩产计划的核心剑指英特尔的关键制程——Intel 3工艺节点，将直接拉动基于Intel 3工艺的英特尔至强6（Intel Xeon 6）以及下一代至强处理器的产能提升，从而为全球AI数据中心（AI Factories）提供更强大的算力底座。

英特尔晶圆代工执行副总裁、首席技术与运营官兼总经理Naga Chandrasekaran表示，通过投资现有的晶圆厂，采用最先进的技术并安装尖端工具，不仅可以提高Xeon 6和基于Intel 3的下一代Intel Xeon处理器等关键产品的产量，而且还能确保爱尔兰继续处于世界最先进制造业生态系统的前沿，同时加强该地区在全球技术格局中的作用。

当地时间2026年7月12日，据消息人士透露，三星电子正着手将其龙仁芯片集群首座半导体工厂的投产时间提前至2029年，比原计划提早一至两年。另外，三星上月表示，根据其超级项目投资计划，计划在平泽和龙仁半导体集群投资2,030万亿韩元（约合1.35万亿美元），并投资400万亿韩元在首尔以南270公里的光州建设两座新的芯片工厂。

国金证券分析认为，海外半导体设备企业受核心零部件短缺、产能饱和约束，同时开启涨价，三星、SK海力士、美光等龙头扩产计划受制于设备供给瓶颈，迫切寻求多元化设备供应商以保障产能落地。依托技术进步、交付高效、成本优势，国内半导体设备企业迎来海外验证与订单落地提速契机，有望出海打开增量空间。

7月13日消息，三星电子已完成特斯拉下一代自动驾驶AI5芯片的流片工作。 三星晶圆代工首席工程师James Kim日前在LinkedIn发文确认，AI5芯片将采用三星最新的2纳米工艺，在美国泰勒晶圆厂生产。 AI5是特斯拉芯片路线图中首款采用2纳米尖端工艺的产品。 此前市场普遍猜测三星最快要到下一代AI6才会采用2纳米，此次AI5直接上马2纳米，印证了三星2纳米良率已突破60%的判断。

三星泰勒工厂预计2026年下半年开始试产，2027年启动大规模量产。